Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des chalcopyrites Mg-IV-V2

dc.contributor.authorHERAIZ, Hocine
dc.date.accessioned2019-02-19T13:32:36Z
dc.date.available2019-02-19T13:32:36Z
dc.date.issued2018-06-26
dc.description.abstractDans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et optiques de Mg (Si. Ge) As2 en utilisant la théorie fonctionnelle de densité (DFT) basée sur la méthode d'onde plane augmentée linéaire (FP-LAPW). Pour traiter le potentiel d'échange-corrélation pour les calculs d'énergie totale, l'approximation (LDA) de Walter Cohen a été utilisée. De plus, l'approximation potentielle de Becke Johnson (mBJ) modifiée, qui corrige avec succès le problème de bande interdite, a été utilisée pour les calculs de structure de bande. Les constantes de réseau calculées et les valeurs de bande interdite pour ces alliages sont en bon accord avec les données théoriques et expérimentales disponibles. Ainsi que la fonction diélectrique et le coefficient d'absorption sont calculés pour étudier les propriétés optiques. Les propriétés électroniques et optiques révèlent que ces alliages sont très utiles pour des applications en photonique, optoélectronique et optiqueen_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/8228
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectélectroniques, optiques, chalcopyrites Mg-IV-V2, Mg(Si. Ge)As2, FP-LAPW, DFT, structure de bande, mBJ, optoélectroniqueen_US
dc.titleEtude des propriétés structurales, électroniques et optiques des chalcopyrites Mg-IV-V2en_US
dc.typeThesisen_US

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