Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des chalcopyrites Mg-IV-V2

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Date

2018-06-26

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Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila

Abstract

Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et optiques de Mg (Si. Ge) As2 en utilisant la théorie fonctionnelle de densité (DFT) basée sur la méthode d'onde plane augmentée linéaire (FP-LAPW). Pour traiter le potentiel d'échange-corrélation pour les calculs d'énergie totale, l'approximation (LDA) de Walter Cohen a été utilisée. De plus, l'approximation potentielle de Becke Johnson (mBJ) modifiée, qui corrige avec succès le problème de bande interdite, a été utilisée pour les calculs de structure de bande. Les constantes de réseau calculées et les valeurs de bande interdite pour ces alliages sont en bon accord avec les données théoriques et expérimentales disponibles. Ainsi que la fonction diélectrique et le coefficient d'absorption sont calculés pour étudier les propriétés optiques. Les propriétés électroniques et optiques révèlent que ces alliages sont très utiles pour des applications en photonique, optoélectronique et optique

Description

Keywords

électroniques, optiques, chalcopyrites Mg-IV-V2, Mg(Si. Ge)As2, FP-LAPW, DFT, structure de bande, mBJ, optoélectronique

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