Etude d’un matériau à base de bismuth pour Le photovoltaïque

dc.contributor.authorAbbes, Rabiaa
dc.date.accessioned2021-06-30T08:50:57Z
dc.date.available2021-06-30T08:50:57Z
dc.date.issued2021-06-24
dc.description.abstractDans ce travail, nous avons étudié une substance à base de bismuth en connaissant les différentes propriétés structurales, Electronique et optique et l'étendue de l'impact de ces caractéristiques sur l'utilisation des véhicules à base de bismuth en général dans le phénomène photoélectrique. L'étude a été réalisée selon les méthodes ab-antio basées sur la méthode des ondes linéaires croissantes (FP-LAPW), qui est basée sur la théorie de la densité de fonction (DFT) et calculée en utilisant l'approximation locale LDA et l'approximation modifiée mBJ-LDA. En comparant les approximations locales et moyennes, il a été constaté que l'approximation mBJ-LDA modifiée donne des résultats plus précis que l'approximation LDA dans le calcul de la densité d'états, et la valeur de l'inhibiteur d'énergie du composé est Eg = 2,404 eV, Quant aux propriétés optiques, nous avons constaté que les coefficients d'absorption et de réflectivité prennent des valeurs très élevées, ce qui fait du composé 𝐴𝑙2 𝐵𝑖𝑆𝑒4en particulier, et des matériaux à base de bismuth en général, des matériaux idéaux pour le photoélectrique. Phénomène.en_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/24561
dc.language.isofren_US
dc.publisherUNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILAen_US
dc.relation.ispartofseriesPh/APP/08/2021. 54;
dc.subjectbismuth, phénomène photoélectrique, propriétés optiques, DFT, FP-LAPWen_US
dc.titleEtude d’un matériau à base de bismuth pour Le photovoltaïqueen_US
dc.typeThesisen_US

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