Contribution à l'étude de la réaction à l'état solide Cu/Si-Effet D’une barrière de diffusion de titane
| dc.contributor.author | Benyounnes, Nora | |
| dc.date.accessioned | 2023-05-28T09:24:56Z | |
| dc.date.available | 2023-05-28T09:24:56Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.description.abstract | Le présent travail porte sur l'élaboration de structure Cu/Ti/Si et leurs caractérisations physico-chimiques et électriques en fonction du recuit thermique. Les films de cuivre d'épaisseur 1000A° sont déposés par évaporation (effet joule) sur un substrat de silicium monocristallin Si(111) à travers une couche barrière de titane d'épaisseur 200A°. Le recuit thermique est effectué sous vide (2.10-7torr) pour les différents échantillons dans l'intervalle de température 200-600°C. L'étude physico-chimique est réalisée à l'aide de la diffraction de rayon X(DRX), le microscope électronique à balayage (MEB) et la microanalyse X (EDX).les mesures I(V) représentent la caractérisation électrique. Les principaux résultats d'analyse montrant que : le recuit thermique à une température de 200°C pendant 30 minutes a pour conséquence la cristallisation du cuivre et du titane. la consommation totale de la couche de cuivre a été enregistrée après traitement thermique à 600°C au profit de la formation et de la croissance de la phase Cu3Si. la réaction commence à partir de 400°C, donc l'interposition d'une couche barrière de titane de 200A° retard cette réaction mais ne l'empêche pas d'avoir lieu, et d'autre part cette couche est une mauvaise barrière puisque elle rompt à une basse température. les différentes allures des caractéristiques électriques I (V) montre que la structure Cu/Ti/Si(p) mute d'une caractéristique Schottky, pour l'échantillon de référence, vers celle d'un contact Ohmique au fur et à mesure que la température de recuit augmente. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/38818 | |
| dc.publisher | UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA | en_US |
| dc.subject | Cuivre, titane, silicium, siliciure de cuivre, diode de Schottky, XRD, MEB, | en_US |
| dc.title | Contribution à l'étude de la réaction à l'état solide Cu/Si-Effet D’une barrière de diffusion de titane | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |