Contribution à l'étude de la réaction à l'état solide Cu/Si-Effet D’une barrière de diffusion de titane
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Date
2005
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Le présent travail porte sur l'élaboration de structure Cu/Ti/Si et leurs
caractérisations physico-chimiques et électriques en fonction du recuit thermique.
Les films de cuivre d'épaisseur 1000A° sont déposés par évaporation (effet
joule) sur un substrat de silicium monocristallin Si(111) à travers une couche barrière
de titane d'épaisseur 200A°.
Le recuit thermique est effectué sous vide (2.10-7torr) pour les différents
échantillons dans l'intervalle de température 200-600°C.
L'étude physico-chimique est réalisée à l'aide de la diffraction de rayon
X(DRX), le microscope électronique à balayage (MEB) et la microanalyse X
(EDX).les mesures I(V) représentent la caractérisation électrique.
Les principaux résultats d'analyse montrant que :
le recuit thermique à une température de 200°C pendant 30 minutes a pour
conséquence la cristallisation du cuivre et du titane.
la consommation totale de la couche de cuivre a été enregistrée après traitement
thermique à 600°C au profit de la formation et de la croissance de la phase Cu3Si.
la réaction commence à partir de 400°C, donc l'interposition d'une couche barrière
de titane de 200A° retard cette réaction mais ne l'empêche pas d'avoir lieu, et
d'autre part cette couche est une mauvaise barrière puisque elle rompt à une basse
température.
les différentes allures des caractéristiques électriques I (V) montre que la structure
Cu/Ti/Si(p) mute d'une caractéristique Schottky, pour l'échantillon de référence,
vers celle d'un contact Ohmique au fur et à mesure que la température de recuit
augmente.
Description
Keywords
Cuivre, titane, silicium, siliciure de cuivre, diode de Schottky, XRD, MEB,