Effet du désordre compositionnel sur les propriétés optoélectroniques et diélectriques de l'alliage ternaire semiconducteur GaAsxSb1-x
| dc.contributor.author | Mezrag, Fadila | |
| dc.date.accessioned | 2023-05-28T09:54:37Z | |
| dc.date.available | 2023-05-28T09:54:37Z | |
| dc.date.issued | 2003-05-30 | |
| dc.description.abstract | En utilisant la méthode des pseudopotentiels empirique (E.P.M) avec l’approximation du cristal virtuel (VCA) avec et sans tenir compte de l’effet du désordre compositionnel, les propriétés optoélectroniques de l’alliage ternaire GaAsxSb1-x ont été étudié. Nos résultats présentent généralement un bon accord avec les données de l’expérience. Notre matériau est trouvé qu’il présente des transitions de gap directe et indirecte fonction de la variation de la concentration molaire. Cette méthode est combiné au model de Harrison est employée pour le calcul des constantes diélectriques et leur dépendance en composition. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/38832 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA | en_US |
| dc.title | Effet du désordre compositionnel sur les propriétés optoélectroniques et diélectriques de l'alliage ternaire semiconducteur GaAsxSb1-x | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |