Effet du désordre compositionnel sur les propriétés optoélectroniques et diélectriques de l'alliage ternaire semiconducteur GaAsxSb1-x
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Date
2003-05-30
Authors
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Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
En utilisant la méthode des pseudopotentiels empirique (E.P.M) avec
l’approximation du cristal virtuel (VCA) avec et sans tenir compte de l’effet
du désordre compositionnel, les propriétés optoélectroniques de l’alliage
ternaire GaAsxSb1-x ont été étudié. Nos résultats présentent généralement un
bon accord avec les données de l’expérience. Notre matériau est trouvé qu’il
présente des transitions de gap directe et indirecte fonction de la variation de
la concentration molaire. Cette méthode est combiné au model de Harrison est
employée pour le calcul des constantes diélectriques et leur dépendance en
composition.