Étude des propriétés structurales, électroniques et optiques des semi-conducteurs CdX (X=S, Se et Te) dans la phase Zinc-blende et wurtzite.

dc.contributor.authorKOURICHE, ATHMANE
dc.date.accessioned2023-05-28T09:41:02Z
dc.date.available2023-05-28T09:41:02Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractLes propriétés structurales, électroniques et optiques des chalcogènes ; CdS, CdSe et CdTe dans les deux phases zinc-blende et wurtzite ont été étudiées. Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur La théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l'approximation du gradient généralisé (GGA) pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés structurales, bien que, pour les propriétés électroniques (structure de bandes (les gaps)) et les propriétés optiques on a utilisé LDA, GGA et GGA-EV. Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant EV-GGA montrent une amélioration considérable par rapport a ceux trouvés en utilisant les deux approximations LDA et GGA, ainsi que d’autres travaux théoriques et sont plus proches aux données expérimentales.en_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/38827
dc.language.isofren_US
dc.publisherUNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILAen_US
dc.titleÉtude des propriétés structurales, électroniques et optiques des semi-conducteurs CdX (X=S, Se et Te) dans la phase Zinc-blende et wurtzite.en_US
dc.typeThesisen_US

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