Étude des propriétés structurales, électroniques et optiques des semi-conducteurs CdX (X=S, Se et Te) dans la phase Zinc-blende et wurtzite.
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Date
2005
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Les propriétés structurales, électroniques et optiques des chalcogènes ; CdS, CdSe et
CdTe dans les deux phases zinc-blende et wurtzite ont été étudiées. Les calculs ont été
effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur
La théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons utilisé l'approximation de la
densité locale (LDA) et l'approximation du gradient généralisé (GGA) pour le terme du
potentiel d'échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés structurales, bien que,
pour les propriétés électroniques (structure de bandes (les gaps)) et les propriétés optiques
on a utilisé LDA, GGA et GGA-EV. Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont en
accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure
de bandes en utilisant EV-GGA montrent une amélioration considérable par rapport a ceux
trouvés en utilisant les deux approximations LDA et GGA, ainsi que d’autres travaux
théoriques et sont plus proches aux données expérimentales.