Dépendance en composition des propriétés physiques des alliages semi-conducteurs GaPxSb1-x et GaxIn1-xAsyP1-y/InP
| dc.contributor.author | Bouaoukaz, Soumia | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-14T14:08:10Z | |
| dc.date.available | 2019-02-14T14:08:10Z | |
| dc.date.issued | 2016-06-05 | |
| dc.description.abstract | Basé sur la méthode des pseudo-potentiels empiriques couplée à l'approximation du cristal virtuel (VCA), les propriétés structurales, électroniques et optiques ont été examinées pour les alliages ternaire x xSbGaP 1 et quaternaire InP PAsInGa y yxx / 11 dans la structure zinc blende. Nos résultats ont montré que toutes les propriétés étudiées varient d'une façon monotone, Ce qui a permet d'obtenir de diverses possibilités pour l'résultat du paramètre de réseau, module de compressibilité, bande interdite et indice de réfraction. Cela va nous permettre d'avoir des nouveaux matériaux avec de nouvelles propriétés désirées. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/7734 | |
| dc.publisher | Université Mohamed Boudiaf, M’sila | en_US |
| dc.subject | semi-conducteur, La structure cristalline, Les propriétés optiques | en_US |
| dc.title | Dépendance en composition des propriétés physiques des alliages semi-conducteurs GaPxSb1-x et GaxIn1-xAsyP1-y/InP | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |