ETUDE DES EFFETS EXTERIEUR SUR UNE PHOTODIODE
| dc.contributor.author | KHEMISSI, ASSAM | |
| dc.contributor.author | BOUKHADEM, ABLA | |
| dc.contributor.author | Enca/ TABBAKH, Mostefa | |
| dc.date.accessioned | 2021-09-05T09:04:14Z | |
| dc.date.available | 2021-09-05T09:04:14Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.description.abstract | Dans notre étude, nous intéressons aux photodiodes à base de silicium, principalement les photodiodes PIN. Ce travail est une simulation basée sur le logiciel SILVACO Atlas pour obtenir les caractéristiques électriques et optiques de la photodiode homo-jonction à savoir la caractéristique courant-tension (I-V) et la sensibilité spectrale (S()). Nous avons simulé les effets de quelques paramètres sur les caractéristiques de la photodiode PIN. Nous avons pris en considération les paramètres les plus influents de point de vue performance d’une photodiode. En effet, nous avons simulé l’effet de l’épaisseur de la région intrinsèque, du dopage de la région intrinsèque et de la température. Nous avons également simulé l’effet de la surface de la photodiode et du rayonnement incident sur la photodiode | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/25287 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | univ msila | en_US |
| dc.subject | Photodiode PIN, Silicium, Simulation, SILVACO-Atlas, Courant tension, Sensibilité spectrale | en_US |
| dc.title | ETUDE DES EFFETS EXTERIEUR SUR UNE PHOTODIODE | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |