ETUDE ET SIMULATION D'UNE CELLULE SOLAIRE HETEROJONCTION A BASE DE GaAs

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dc.contributor.authorKhettout, Bouchra
dc.contributor.authorFaid, Chaima
dc.contributor.authorEnca/ TABBAKH, Mostefa
dc.date.accessioned2022-09-25T09:30:54Z
dc.date.available2022-09-25T09:30:54Z
dc.date.issued2022-09-25
dc.description.abstractLes cellules solaires à base de GaAs jouent un rôle primordial dans l’application spatiale et terrestre a concentration, dans ce travail notre but est de déterminer l’influence de certain paramètres de ces cellule (épaisseur et concentration du dopage) sur les performances photovoltaïques : Tension de circuit ouvert , Courant de court-circuit, Facteur de forme et le rendement de conversion par simulation numérique on utilisant logiciel de simulation des cellules solaires SCAPS Cette étude nous a permis d’optimiser le rendement électrique de la structure GaAs/ZnO/ZnO:Al pour une épaisseur de 2200nm et un dopage ND de 1x1018 cm-3 pour la couche tampon et épaisseur de 5000nm et un dopage NA de 1x1018 cm-3 pour la couche absorbante.en_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/32196
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversity of M'silaen_US
dc.subjectphotovoltaïque, cellule solaire, GaAs, hétérojonction, SCAPS.en_US
dc.titleETUDE ET SIMULATION D'UNE CELLULE SOLAIRE HETEROJONCTION A BASE DE GaAsen_US
dc.typeThesisen_US

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