Propriétés Optiques et Électriques du Silicium Amorphe Hydrogéné

dc.contributor.authorRABIA, Ahmed Yassine
dc.date.accessioned2019-02-18T12:24:50Z
dc.date.available2019-02-18T12:24:50Z
dc.date.issued2017-06-06
dc.description.abstractLe présent travail est essentiellement consacré à l'étude des propriétés optiques et électriques des couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a -Si:H) préparées par la technique de pulvérisation cathodique radiofréquence, le seuil de la puissance RF est de la valeur 13.56 MHz. Nous présentons les bandes d’énergie et la densité d’états. Nous avons aussi étudié la conductivité électrique et sa technique de mesure. Nous avons expliqué le principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque et son rendement. Le meilleur rendement d’une cellule photovoltaïque de silicium amorphe hydrogéné est de l'ordre de 13.4 %.en_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/8106
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectSilicium – Hydrogène – Couches minces – Opto-électriques – Cellule solaireen_US
dc.titlePropriétés Optiques et Électriques du Silicium Amorphe Hydrogénéen_US
dc.typeThesisen_US

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