LA CORRELATION ENTRE L'IONICITE ET LES FACTEURS DE FORME SYMETRIQUES ET ANTISYMETRIQUES DANS LES SEMICONDUCTEURS
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Date
2004-07-08
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Le but de ce travail est d'étudier la variation des facteurs de forme symétriques
Vs(3), Vs(8), Vs(11), et antisymétriques Va(3), Va(4), Va(11), des pseudopotentiels en
fonction de l'ionicité dans les semiconducteurs suivants :
IV: Ge, Si .
III-V : AlSb, GaSb, AlAs, GaAs, InSb, AlN, InN, InP, InAs.
II- VI : MgS, MgSe, ZnS, ZnSe.
Dans cette étude, on a utilisé la méthode empirique des pseudopotentiels( E.P.M)
afin de calculer la structure de bande électronique et par conséquent le facteur
d'ionicité .Ce dernier a été calculé en utilisant le gap antisymétrique et l'énergie de
cohésion .
Nos calculs ont montré que le gap antisymétriques dans des résultats plus proches à
ceux de littérature .
Description
Keywords
Ionicité , Pseudopotentiel , Semiconducteur .