Étude théorique de la structure de bandes électroniques et ses propriétés dérivées des semiconducteurs nanostructurés
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Date
2023
Authors
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Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Cette étude se concentre sur les effets du confinement quantique sur les propriétés physiques des points quantiques sphériques semiconducteurs II-VI et III-V dans la phase zinc-blende tels que (GaAs, InAs, InP, GaSb, AlAs, AlSb, GaP et MgSe, CdTe, ZnS, ZnSe et ZnTe), en utilisant la méthode empirique du pseudo-potentiel. Les variations en fonction de la taille ont été analysées et discutées pour toutes les caractéristiques physiques telles que les niveaux d'énergie, les gaps d'énergie directs et indirects, l'indice de réfraction et la constante diélectrique haute fréquence. Les résultats montrent qu’en raison de l'effet du confinement quantique, le gap d’énergie fondamental est considérablement augmenté par rapport à sa valeur en massif, tandis que l'indice de réfraction obtenu et la constante diélectrique haute fréquence sont significativement réduits.