ETUDE DE LA NATURE DE LA LIAISON CHIMIQUE PAR L'INTERMEDIAIRE DE LA STRUCTURE DE BANDE DANS LES SEMICONDUCTEURS
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Date
2004-07-08
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Du fait de l'importance des semi-conducteurs dans la science et la technologie, un immense intérêt a été
apporte à la connaissance de ces matériaux,notamment a l'étude de leurs propriétés électroniques et structurales,
en particuliers celles des liaisons chimiques.
Le but de ce travail est l'étude de la tendance chimique ainsi que les liaisons dans les semi-conducteurs
cristallisant dans la phase diamant et zinc blende:
IV-IV: Ge, Si
III-V:GaAs, GaSb, InSb,InAs,AlAs,AlSb,InP, Gap, InN ,AlN
II-VI: ZnS, ZnSe, MgS, MgSe
Cela par le biais du calcul de la structure de bande qui est devenu un moyen pratique et judicieux pour
l'interprétation et l'analyse d'un nombre considérable de propriétés.
Cette étude a été appliquée en utilisant la Méthode
dite de Pseudo potentiel Empirique local (E.P.M). La
confrontation des résultats obtenus avec ceux disponibles
dans les différentes littératures révèle une bonne concordance.Ce qui nous permet de conclure que la
méthode adoptée dans cette étude est très valide dans la description des états électroniques des matériaux
étudies dans le cadre de ce travail.
Description
Keywords
structure de bande, densité de charge, Pseudopotentiel, liaisons chimiques, Semiconducteurs.