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    Contribution à l’étude des propriétés optoélectroniques des semi-conducteurs à base des éléments chalcogènes : Application photovoltaïque
    (University of M'sila, 2024-12-08) SERAI housseyn; enca/BENNACER HAMZA
    Actuellement, les recherches en cours se concentrent sur l'avancement des cellules solaires utilisant des éléments plus abondants et moins toxiques. Plusieurs facteurs déterminent l'efficacité des cellules solaires dans la conversion de la lumière solaire en énergie. Les matériaux photovoltaïques avec des bandes interdites optimales pour la conversion photovoltaïque, des coefficients d'absorption élevés, une stabilité dans diverses situations, une rentabilité et un impact environnemental minimal sont privilégiés. Les matériaux à base de chalcogénures de cuivre, en particulier les composés quaternaires tels que les CZTS, ont été étudiés de manière approfondie en raison de leurs propriétés électriques favorables, de leur évolutivité rentable et de leur présence abondante dans l'écorce terrestre. Cette étude a pour objectif d'examiner la structure de type kesterite des composés Cu2BeSnS4, Cu2BeSnSe4 et Cu2BeSnTe4 utilisant la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) et la méthode de l'onde plane augmentée linéaire à potentiel complet (FP-LAPW). L'étude démontre que les composés Cu2BeSnS4 et Cu2BeSnSe4 sont des semi-conducteurs avec des gaps d’énergies directs au point Γ, tandis que Cu2BeSnTe4 présente un gap indirect (Γ→X). Les propriétés électroniques et optiques de ces matériaux indiquent leur utilité potentielle dans diverses applications optoélectronique. Ainsi, les résultats fournissent des informations précieuses sur les applications photovoltaïques possibles de ces composés. En outre, nous avons exploré la possibilité de moduler ces propriétés dans le cadre de la proposition et de la conception de nouvelles cellules solaires utilisant ces composés comme base.