HERAIZ, ALDJIA2019-02-242019-02-242013-05-24http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/9141Notre travail consiste à l'étude par simulation Monte Carlo Cinétique de la croissance en monocouche atomique de l’oxyde TiO2 réalisée par la technique ALD sur un substrat Si/SiO2 en utilisant le modèle Solide sur solide. Nous examinons l’effet de pression et de température sur le dépôt dont nous avons bien reproduit les conditions opératoires tout en expliquant les différents mécanismes mis en jeu lors des différentes phases du dépôt.frCouches minces, Si/ SiO2 / TiO2 , ALD, cycle, pression températureThesis