Simulation Monte Carlo Cinétique de la croissance en monocouche atomique de l’oxyde TiO2 par le modèle SOS
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Date
2013-05-24
Authors
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Notre travail consiste à l'étude par simulation Monte Carlo Cinétique de la
croissance en monocouche atomique de l’oxyde TiO2 réalisée par la technique
ALD sur un substrat Si/SiO2 en utilisant le modèle Solide sur solide. Nous
examinons l’effet de pression et de température sur le dépôt dont nous avons
bien reproduit les conditions opératoires tout en expliquant les différents
mécanismes mis en jeu lors des différentes phases du dépôt.
Description
Keywords
Couches minces, Si/ SiO2 / TiO2 , ALD, cycle, pression température