Calcul de premier principe des propriétés électroniques de CdSe et CdTe sous pression

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dc.contributor.authorDjaidja, Fawzia
dc.date.accessioned2019-02-24T12:16:45Z
dc.date.available2019-02-24T12:16:45Z
dc.date.issued2014-06-18
dc.description.abstractDans ce travail de nos gens d'étudier les propriétés électroniques des composés binaires CdTe; CdSe de la pression normale et sous pression Procédé utilisé est le premier principe met l'accent sur la théorie calcule ab intion qui met l’accent sur la théorie de densité du fonctionnaire avecla méthode de pseudo-potentiel. Révélée particulièrement efficace pour estimer la gap interdite directe et indirecte et comparé avec les valeurs expérimentales et théoriques Autres propriétés électroniques obtenues comme les bandes énergies,la densité d’étatd’électronique,la masse effective,Approbation de la prédite très théorique et expérimentale. Nos gens calculent les propriétés électroniques des deux composés sous pression jusqu'à 5 GPa, Nos résultats ont montré que les mouvements étudiés matérielles du gap interdit direct au gap interdit indirecteen_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/9161
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectcalcule ab initio, méthode pseudo potentiel, composé binaire de type III-V.en_US
dc.titleCalcul de premier principe des propriétés électroniques de CdSe et CdTe sous pressionen_US
dc.typeThesisen_US

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