Calcul de premier principe des propriétés électroniques de CdSe et CdTe sous pression
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Date
2014-06-18
Authors
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Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Dans ce travail de nos gens d'étudier les propriétés électroniques des composés binaires CdTe;
CdSe de la pression normale et sous pression
Procédé utilisé est le premier principe met l'accent sur la théorie calcule ab intion qui met
l’accent sur la théorie de densité du fonctionnaire avecla méthode de pseudo-potentiel.
Révélée particulièrement efficace pour estimer la gap interdite directe et indirecte et comparé
avec les valeurs expérimentales et théoriques
Autres propriétés électroniques obtenues comme les bandes énergies,la densité
d’étatd’électronique,la masse effective,Approbation de la prédite très théorique et expérimentale.
Nos gens calculent les propriétés électroniques des deux composés sous pression jusqu'à 5 GPa,
Nos résultats ont montré que les mouvements étudiés matérielles du gap interdit direct au gap
interdit indirecte
Description
Keywords
calcule ab initio, méthode pseudo potentiel, composé binaire de type III-V.