Calcul des propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs

dc.contributor.authorAOUINA, ZAHIA
dc.date.accessioned2019-02-20T12:53:14Z
dc.date.available2019-02-20T12:53:14Z
dc.date.issued2017-06-07
dc.description.abstractDans ce mémoire, nous avons effectué une étude ab-initio basée sur la méthode de pseudo potentiel sous le formalisme de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), en utilisant l'approximation du gradient généralisé (GGA-PBE) pour le terme du potentiel d'échange et corrélation (XC) afin d'étudier les propriétés structurales et les propriétés électroniques et optiques des composés semi-conducteurs K2S et Rb2S. Nos résultats sont en accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponiblesen_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/8421
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectcalcul Ab-initio, pseudo potentiel, DFT, K2S, Rb2Sen_US
dc.titleCalcul des propriétés électroniques et optiques des semi-conducteursen_US
dc.typeThesisen_US

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