Etude des propriétés structurales et électroniques de GaN
| dc.contributor.author | DILMI, Souad | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-24T10:59:02Z | |
| dc.date.available | 2019-02-24T10:59:02Z | |
| dc.date.issued | 2013-06-24 | |
| dc.description.abstract | Dans ce mémoire nous avons utilisé un calcul Ab initio basé sur la théorie de DFT combinée avec la méthode de pseudo potentiel en utilisant le code appelé Abinit, ainsi que l’approximation de la densité locale LDA, dans le but de calculer les propriétés structurales et électronique de nitrure de galium GaN qui se cristallise dans la phase zinc blende. ou nos résultats obtenus sont en très bon accord avec les données expérimentales ainsi que les valeurs calculées par les autres chercheurs | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/9134 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | calcul Ab initio, la méthode de pseudo potentiel, GaN. | en_US |
| dc.title | Etude des propriétés structurales et électroniques de GaN | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
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