Abstract:
Les semi-conducteurs III-V, font un sujet d’actualité, vu les multiples applications technologiques, ils ont des propriétés Physiques qui peuvent être mises à profit pour des applications en optoélectronique.
Dans cette contribution, nous avons étudié l'effet de la température sur les propriétés électroniques et optiques en utilisant deux approches différentes à savoir : l'approche de Varshni et celui de Bose-Einstein. Nos résultats ont montres un bon accord avec ceux de l'expérience. La variation des paramètres étudies en fonction de la température a montré une tendance non-linéaire et monotone. Aucune transition de bande interdite dans l'intervalle 0-600 K n'a été observé.
