Abstract:
Dans ce travail, des couches minces de l’oxyde de cuivre sont obtenus par une méthode de spray chimique. Ces couches sont déposées sur des substrats en verre et une série d'échantillons avec différentes températures de dépôt ont été étudié par différentes techniques de caractérisation comme la diffraction des rayons X, la spectroscopie d’absorption UV-vis, la spectroscopie d’absorption en infrarouge, la profilomètrie, et les mesure électrochimiques (impédances électrochimiques, chronoampérométrie, analyse Mott-Schottky).
La caractérisation par diffraction des rayons X a révélé que la température de dépôt dans la formation des couches et l’augmentation de la température permet d’obtenir des couches polycristallines qui sont constituées de deux phase CuO (la ténorite) et Cu2O (la cuprite). Les couches se cristallisent dans deux structures à savoir : monoclinique de type ténorite pour le CuO et la structure cubique pour le Cu2O.
La spectroscopie UV-Visible montre que l’augmentation de la température de dépôt conduit à la diminution da la transmittance des couches.
La spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier a révèle la présence des bandes d’absorption correspondant à la vibration de liaison Cu-O et Cu-O-Cu.
Les couches sont caractérisées par spectroscopie d'impédance électrochimique et montrent l’influence de température du substrat sur la résistance de transfert de charge.
L’analyse Mott-Schottky a mis en évidence la variation du potentiel de bandes plates en fonction de la température. Il est donc possible de prévoir la densité des porteurs de charge pour tout semi-conducteur et son type de conduction (type p ou n).
En conclusion, nous avons pu élaborer des couches minces de l’oxyde de cuivre (système CuO-Cu2O) par une simple méthode chimique et les propriétés des couches obtenues sont jugées intéressantes et motivantes
