Abstract:
Pendant que les transistors FETs à base des matériaux III-V montrent quelques mérites
très attractifs et tangibles, il existe de nombreux défis difficiles à surmonter avant qu'ils
deviendront applicables pour future composant à grande vitesse de commutation et les
applications numériques à faible puissance. Si les problèmes sont certainement résolus, les
matériaux III-V peuvent jouer un rôle majeur avec le Si dans les futurs dispositifs logiques et
analogiques fortement submicroniques.
La technologie du transistor MESFET à base de GAN domine très largement le marché
des circuits logiques et prend de plus en plus d’essor en circuits analogiques.
Ce travail présente le principe des techniques évolutionnaires et leurs applications dans
le domaine de la modélisation et la simulation des composants électroniques fortement
submicrométriques.
Notre principal objectif est de développer une structure optimale du transistor MESFET à
double grille en se basant sur une technique d’optimisation.
