Résumé:
L’utilisation des techniques de la microélectronique dans le domaine des analyses médicales, de l’environnement, de l’alimentation et de la pharmacie a fait apparaitre des capteurs chimiques à base de transistors ISFET, qui sont des transistors à effet de champs sensibles aux ions. Le développement de nouveaux capteurs fiables nécessite l’étude des paramètres physiques déterminant la sensibilité du transistor ISFET aux différents milieux chimiques dans lesquelles ils sont introduits. Toutefois ces transistors n’ont pas encore atteint la maturité voulue. Des améliorations de leurs performances sont nécessaires pour permettre leur utilisation à grande échelle dans les applications biochimiques. Visant à l’optimisation du processus de conception et de fabrication de ces composants, la corrélation entre les paramètres technologiques et la réponse électrique du dispositif peut être obtenue au moyen d’une simulation électrique, car l’optimisation passe par l’établissement de modèles reflétant fidèlement la réalité. Ces modèles permettront la compréhension des phénomènes physiques et l’évaluation de leurs impacts sur la détection. Ainsi la reproductibilité et les paramètres de détection (sensibilité, gamme de détection,..) seront améliorés. Dans ce travail, nous avons étudié le fonctionnement de l’ISFET et déterminé différents caractéristiques tel que la variation du potentiel électrostatique en fonction du PH de l’électrolyte, tracer les caractéristiques de transfert et autres. Aussi, étudier l’effet de la température sur les performances statiques et dynamiques du transistor en utilisant le logiciel COMSOL.