Résumé:
Ce travail rapporte des résultats basés sur des calculs de théorie fonctionnelle de la densité (DFT)
utilisant la méthode des Ondes Planes Augmentées Linéarisées (FP-LAPW) employée dans le code
informatique Wien2K pour calculer les propriétés physiques des nanomatériaux.
Gallium nitride GaN(3D) et GaN(2D), c’est un avenir dans la nanotechnologie.
Pour le potentiel d'échange-corrélation et calcul des propriétés électroniques des deux composés
l’approximation du gradient généralisé (GGA), l’approximation de la densité locale (LDA) et EVGGA.
Les résultats obtenus sont comparés à d'autres travaux théoriques et à des données acquises
expérimentalement.