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Etude de comportement de la capacité d’une diode polycristallinne latérale

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dc.contributor.author Ilyas, ROUAG
dc.date.accessioned 2018-02-21T08:44:10Z
dc.date.available 2018-02-21T08:44:10Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.uri http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/2992
dc.description.abstract L’objectif de notre travail est d’étudier l’effet capacitif d'une diode latérale et voir le comportement de la caractéristique C(V) (sous polarisation inverse) des jonctions PN polycristallinnes. L’exploitation exhaustive des relations théoriques pour une jonction graduelle nous a permis de caractériser la diode polycristalline. On donné une importance majeur pour quelques paramètres très utiles pour connaitre des informations sur les grains et les joints de grain. Ainsi nous avons pris en charge quelques caractéristiques électriques de la diode latérale. Pour cela nous avons opté un environnement de simulation approprié SILVACO pour la simulation des étapes technologiques de cette diode polycristallinne, tenant compte au préalable des paramètres qui la caractérise, puis donner les modèles physiques adéquats qui peuvent donner la capacité de la jonction PN latérale au silicium polycristallinne à des différentes fréquences, sous le même environnement. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher UNIVERSITE DE MOHAMED BOUDIAF M'SILA FACULTE DE TECHNOLOGIE en_US
dc.subject Diode latérale, Polycristallinne, Capacité, SILVACO en_US
dc.title Etude de comportement de la capacité d’une diode polycristallinne latérale en_US
dc.type Thesis en_US


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