Abstract:
Dans ce travail, nous avons développé un modèle non-linéaire pour les transistors MOS en boîtier utiles pour des applications en hyperfréquences. Le modèle développé reproduit, de manière très précise, les caractéristiques hyperfréquences des transistors MOS, tant en régime petit-signal qu’en régime grand-signal.Il prend en compte l’effet du boîtier, présent dans les composants discrets. Le modèle a été validé à travers
des mesures grand-signal à l’aide d’un analyseur de réseaux vectoriel. L’extraction des paramètres du modèle est très rapide et son implémentation dans un simulateur de circuits commercial est très simple. A l’aide de ce modèle, un amplificateur de puissance a été conçu et réalisé en technologie LDMOS
