Etude de l'effet de la température de dépôt sur les propriétés optoélectroniques des couches minées de ZnO co-dopées F, Co et Mg

Abstract

Dans ce travail, nous avons élaboré et étudié les propriétés structurales, optiques et électriques du ZnO/8%F/1%Co/3%Mg déposé par la technique de pyrolyse par pulvérisation préparé pour une température de substrat variant de 250 °C à 400 °C et un temps de dépôt égal à 10 min avec la concentration de 0,1 mol/l, afin d'optimiser le précurseur qui permet d'avoir une conductivité et une transmittance élevées. Les films minces préparés ont été caractérisés par spectrophotomètre UV-VIS, analyse par diffraction des rayons X (XRD) et électrique. La caractérisation structurale de la couche par analyse des spectres de diffraction des rayons X a montré que le ZnO/8%F/1%Co/3%Mg est de nature polycristalline. Le spectrophotomètre UVVisible de ces films confirme qu'il est possible d'obtenir de bons films transparents de ZnO/8%F/1%Co/3%Mg avec une transmittance d'environ 80% ou 83% dans le visible, respectivement. L'énergie optique directe de la bande interdite calculée à partir des spectres de transmittance avec des valeurs comprises entre 3,28 eV et 3,32 eV avec augmentation de la température du substrat de 250°C à 400°C. La mesure de la résistivité électrique a également montré que l'augmentation de la conductivité du film mince ZnO/8 %F/1 %Co/3 %Mg avec l'augmentation de Ts.