Résumé:
Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le
recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en
plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à
base de Cu (In, Ga) Se2 semble prometteur. En effet, le rendement de ces cellules a dépassé les
20% ces dernières années avec certaine condition d'élaboration. L'étude du comportement des
caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CIGS est passé par
l’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches de
structure typique de ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p). Cette étude est effectuée par le simulateur
SCAPS-1D.
Le but de ce travail, est d'étudier l'effet des défauts profonds dans l'absorbeur CIGS et
dans la couche des défauts ODC ainsi que les défauts d'interface ODC/ZnSe sur les
performances de la cellule ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p).