Abstract:
Dans cette étude, nous avons élaboré et caractérisé des couches minces d’Oxyde d’Etain
(SnO2) non dopée et dopées en Cuivre (Cu) pour différents taux de concentrations 1%, 2%,
3% et 4% déposées par la technique de spray pyrolyse. Les résultats de la caractérisation de la
diffraction des rayons X (DRX) montre que les couches sont polycristallines avec une
structure cubique due à l’existence du pic plus intense relatif à l’orientation (111) situé autour
de l’angle 32.85°. Les variations de FWHM et la taille des cristallites sont très bien corrélées.
L’analyse par le spectrophotomètre UV-Visible montre une valeur de la transmission
moyenne acceptable autour de 71.27%. Le gap optique diminue entre de 3.62 eV et 3.87 eV
en fonction de dopage de 0% à 2%Cu, puis une augmentation dans les valeurs de Eg jusqu’à
3.82 eV pour le dopage 4%Cu. Une décroissance dans la valeur de la conductivité électrique
de nos films de 2.53 à 0.041 (Ω.cm)-1 pour le dopage 0% jusqu’à 3%Cu et pour le dopage a
4%Cu on a une croissance de la conductivité électrique (1.81 (Ω.cm)-1). Donc, l’ajoute de
Cuivre avec une faible concentration améliore la valeur de la transmittance de la couche
mince à base de SnO2 élaborés par la technique Spray pyrolyse.
Abstract :
In this study, we developed and characterized thin films of Tin Oxide (SnO2) undoped and
doped with Copper (Cu) for different levels of concentrations 1%, 2%, 3% and 4% deposited
by the technique of pyrolysis spray. The results of the characterization of X-ray diffraction
(XRD) show that the layers are polycrystalline with a cubic structure due to the existence of
the more intense peak relative to the (111) orientation located around the 32.85 ° angle. The
variations of FWHM and the size of the crystallites are very well correlated. Analysis by the
UV-Visible spectrophotometer shows an acceptable mean transmission value of around
71.27%. The optical gap decreases between 3.62 eV and 3.87 eV depending on the doping
from 0% to 2% Cu, then an increase in the values of Eg up to 3.82 eV for the 4% Cu doping.
A decrease in the value of the electrical conductivity of our films from 2.53 to 0.041 (Ω.cm) -
1 for the 0% doping up to 3% Cu and for the 4% Cu doping we have an increase in electrical
Résumé
conductivity (1.81 (Ω.cm) -1). Therefore, adding copper at a low concentration improves the
transmittance value of the SnO2-based thin film produced by the spray pyrolysis technique.
