Abstract:
Les semi-conducteurs CdTe et CdS ont des propriétés importantes notamment dans la
fabrication des dispositifs optoélectroniques. On a étudié les propriétés structurales, électroniques
et optiques des composés CdTe et CdS. On a calculé la constante de la maille, le module de
compressibilité et sa dérivée par rapport à la pression. L’étude de la structure de bande montre un
gap direct Γ-Γ dans ces deux composés. L’étude de la performance de la cellule solaire nécessite
l’utilisation du programme SCAPS -1D. On a étudié la performance de la cellule solaire de SIGS
Cu (In, Ga) . On a étudié l’effet de l’épaisseur du CIGS (couche absorbante), la température et la
résistance série sur le courant de court-circuit Isc, la tension à circuit ouvert Vco, le facteur de
forme FF et le rendement η.
Abstract
The semi-conductors CdTe and CdS have important properties in the fabrication of
optoelectronic devices. We studied the structural, electronic and optical properties of CdTe
and CdS. We calculated the lattice constant, bulk modulus and its pressure derivative. The
investigation of band structure shows a Γ-Γ direct band gap in both compounds. The study
of solar cell performance requires the use of SCAPS-1D program. We studied the
performance of solar cell with a SIGS Cu (In, Ga) . We investigated the effect of
thickness absorber, the temperature and the series resistance on court circuit current,
voltage open circuit, the fill factor and efficiency.
