Etude ET Simulation Du Diode Laser à Base De Semi-conducteurs III-V (InGaAsP-InP)

Abstract

L’objectif de ce travail est l’étude des diodes lasers à base de semi-conducteur III-V, plus particulièrement diode laser (InGaAsP-InP). L'étude détaillée d'un modèle à une dimension, qui se limite au régime stationnaire de la diode laser a été présentée. La simulation par le logiciel Maple et Matlab du modèle étudié, a permis d'éclaircir l'influence de quelques paramètres sur les caractéristiques électriques et optiques de la diode laser étudié.