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Browsing Master Eléctronique by Subject "Schottky, MESFET GaAs, JFET, MOSFET, MESFET, HEMT"

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  • Amel, SAOUDI; Halima, BENKHARIF (UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA, 2019)
    Cette étude a pour objectif de simuler des transistors à effet de champ à barrière Schottky à base d’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les généralités de ces transistors, les propriétés ...

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